英特尔未能通过其Atom系列处理器在移动SoC市场上取得成功，但该芯片供应商已宣布计划在其10nm FinFET制造工艺上制造基于ARM的设计。 英特尔还表示将与LG合作，制造基于10nm节点的“世界级移动平台”。
该交易将使英特尔利用ARM的Artisan物理IP和POP IP来构建10nm Cortex内核。 目前，英特尔似乎无法从高通，NVIDIA等架构授权商那里制造定制解决方案。
去年，三星取得了巨大的成功，成为该领域第一个转向14纳米制造工艺的公司，导致高通公司与韩国公司合作，在其半导体工厂生产14纳米Snapdragon 820 SoC。 虽然英特尔将从现成的Cortex内核开始，但对于芯片供应商在移动领域挑战台积电和三星来说仍然是一笔巨大的交易。
台积电已经迈向10纳米，大规模生产将从2016年底开始。三星还表示将在今年晚些时候开始转向10纳米。 随着英特尔加入竞争，我们将看到移动领域的竞争加剧。
至于LG，这家韩国公司未能凭借其在LG G3 Screen首次亮相的Nuclun SoC进行评分。 与英特尔合作意味着我们将关注Cortex的核心实现，但除此之外，没有关于LG即将推出的SoC的更多信息。
鉴于三星凭借其Exynos阵容取得的进展，LG决定采用内部SoC代替高通的产品并不奇怪。 三星在Exynos 8890中提供了自己的Exynos M1 CPU内核，并在自己的代工厂制造。 然而，LG可能会通过其麒麟SoC模仿华为在这一领域的努力，麒麟SoC以定制ISP和基带调制解调器的形式提供自己的秘密调制芯片。
我们将不得不等待看看LG发布了什么，但随着英特尔决定从明年开始制造ARM内核，移动SoC领域的事情即将变得非常有趣。
