随着闪存存储开发的逻辑推进，三星刚刚宣布将开始批量生产3D“垂直NAND”（V-NAND）闪存芯片。 虽然我们知道三星是一家大型消费电子公司，但韩国制造商也有一个利润丰厚的业务，为许多不同的设备制造商生产内部组件 - 如处理器，闪存和显示器。
我们之前已经讨论过三星（和其他制造商）采用更小的技术，在同一物理区域安装更密集的存储量，转向10nm级制造工艺，但这个名称会引导您期待这个新的3D NAND系统更进了一步。 三星现在正在构建垂直堆叠组件的芯片，而不是坚持传统的“平面”（扁平）结构，最多可达24个单元层。
就像转向更小的架构一样，转向V-NAND在产生芯片的可靠性和速度方面具有固有的优势。 三星表示，与现有的10nm级闪存相比，这些首批V-NAND芯片的可靠性提高了2到10倍，写入性能提高了2倍。
随着大规模生产的开始，三星预计新芯片将在消费类电脑固态硬盘产品中使用，并在不久的将来产生嵌入式闪存。
资料来源：三星（BusinessWire）
