三星LSI目前在其第二代14nm LPP FinFET节点上生产高通的Snapdragon 820，看起来这家韩国公司也已经签订了明年10nm Snapdragon 830的合同。 这是根据韩国的 ET新闻 ，其中声称SoC将用于Galaxy S8。 三星可能会保留与Galaxy S7和S7 edge相同的策略，其中美国型号由Snapdragon 830驱动，而全球版本则运行其即将推出的Exynos 8895。
与Snapdragon 830一样，三星的内部Exynos 8895也将基于10nm制造工艺。 ET News 还写道，高通和三星正在开发FoPLP（扇出面板级封装）技术，该技术不再需要用于Snapdragon 830和Exynos 8895的封装基板的印刷电路板。
我们对SoC的了解不多，但看起来三星希望通过转向10nm来达到更高的频率。 从8月份开始的Exynos 8895泄漏表明三星在其定制的Mongoose核心上达到4GHz，在Cortex A53核心上达到2.7GHz。 看看Qualcomm通过其Kryo CPU实现获得的性能提升将会很有趣。
